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2018.08.31

开发防扩散膜用W-Ti溅镀靶材,自7月起开始量产

三菱综合材料株式会社(董事总经理:小野直树,资本金:1,194亿日元)的电子材料事业公司开发出了对应半导体微引脚间距工艺流程的防扩散膜用W-Ti(钨钛)溅镀靶材,该产品自7月起已开始量产,特此通知。

将半导体芯片封装在基板上时,芯片侧的Al(铝)或Cu(铜)的接地电极需与基板侧的球状电极--Au(金)凸块(参考以下"接合截面图")接合。然而,伴随器件在高温下使用的机会增加,接地电极与Au凸块间的元素相互扩散,会导致电阻上升和紧贴性下降。所以在接地电极与Au凸块之间通常使用由W-Ti溅镀靶材形成的防扩散膜(W-Ti膜),以防止电极和凸块之间的元素扩散。W-Ti先以溅镀方式在芯片侧进行全面镀膜,然后对设置防扩散膜的Au凸块以外的部分,采用蚀刻方法来除去。而传统型防扩散膜的蚀刻速率(蚀刻时防扩散膜溶解的速度)低,且控制困难。所以,用户期待适合于半导体微间距工艺流程的蚀刻速率控制的新材料,以提高半导体元件封装工序的生产效率。

为了满足用户的这一需求,本公司基于长年积累的合金溅镀靶材配方设计知识与工艺控制能力,经反复试验,开发出的防扩散膜的蚀刻速率比传统产品最大提升了约60%,并且可在这一范围内自由控制蚀刻速率,满足了客户的需求。

近年来,随着智能手机等电器产品的功能越来越强大,半导体芯片的电极间距变得越来越狭窄。此次研制的W-Ti溅镀靶材,可适用于半导体微间距工艺流程,同时也有助于提高半导体元件封装工序的生产效率。

本公司的愿景是"我们矢志成为领先的商业集团,承诺开展材料创新、使用自身独特的技术创建一个可持续发展的世界,造福人类、造福社会、造福地球"。今后,我们的电子材料事业公司将一如既往地敏锐捕捉市场需求,提供独一无二的优质电子材料产品和解决方案,不断为社会作出贡献。

※蚀刻
利用化学药品等腐蚀作用的一种塑形或表面加工技法。
防扩散膜W-Ti靶材 防扩散膜W-Ti靶材 (点击放大)
接合截面图 接合截面图 (点击放大)

2018年7月25日

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